存储系统
需了解各种存储器的特点,可能在选择题中考察。
存储系统的层次结构
- 寄存器(Registers):
- 寄存器是位于处理器内部的最快速存储单元。
- 它们提供极快的数据访问速度,但其容量非常有限。
- 一级缓存(L1 Cache):
- L1缓存位于处理器内部,比寄存器稍大,但比其他缓存慢。
- 它通常分为数据缓存(用于存储数据)和指令缓存(用于存储指令)。
- 二级缓存(L2 Cache):
- L2缓存比L1缓存大,并且位于处理器和主内存之间。
- 它的速度比L1慢,但比主内存快。
- 三级缓存(L3 Cache):
- 在某些系统中,还有L3缓存,这是一种更大但速度更慢的缓存。
- 它位于L2缓存和主内存之间,旨在进一步减少对主内存的访问。
- 主内存(RAM):
- 就是我们常说的内存,比缓存慢,但比硬盘快得多,并且容量比缓存大。
- 主内存用于存储正在运行的程序和当前使用的数据。
- 辅助存储(如硬盘驱动器或固态驱动器):
- 辅助存储设备提供大量的永久存储。
- 与RAM相比,这些设备访问速度较慢,但能够存储更多的数据,并且在断电时不会丢失数据。
- 硬盘驱动器(HDD)和固态驱动器(SSD)是常见的辅助存储设备。
半导体随机存储器
半导体随机存储器的英文为 Semiconductor Random-Access Memory
( RAM
)。
首先说一下这个名词中的几个部分:
- 半导体:这种存储器使用半导体材料(如硅)制成。晶体管是构成半导体存储器的基本组成部分。
- 随机:随机的意思是随机访问,意味着可以以几乎恒定的时间访问存储器中的任意位置,它与其他存储技术(如磁盘或磁带)不同,后者需要按顺序访问数据。
随机存储器主要分为SRAM和DRAM,注意两者的区别:
特征 | SRAM(静态RAM) | DRAM(动态RAM) |
---|---|---|
构造 | 基于触发器的存储器单元 | 基于电容器的存储器单元 |
稳定性 | 静态存储,数据不需要刷新 | 动态存储,需要定期刷新以保持数据 |
存取速度 | 非常快,无需刷新 | 相对较慢,需要刷新和预充电操作 |
能耗 | 通常较高,因为使用更多的电力 | 通常较低,因为不需要大量电力来维持数据的稳定性 |
存储密度 | 相对较低,每个存储单元较大 | 相对较高,每个存储单元较小 |
主要应用领域 | 高速缓存、寄存器、高性能应用 | 系统内存、大容量存储、移动设备 |
半导体随机存储器是 易失性 的,这意味着一旦断电,其中存储的信息就会丢失。SRAM 主要用于实现cache,DRAM 主要用于实现主存。
Flash存储
Flash存储器是一种 非易失性 的电子存储设备,它利用半导体技术来存储数据。通常用于长期数据存储,如USB闪存驱动器、固态硬盘(SSD)和移动设备的内部存储。它在读取速度上比RAM慢,但优于传统的硬盘驱动器(HDD)。
Flash存储器使用电子方式来擦写和重新编程存储单元。这意味着可以通过电信号快速擦除和写入数据。数据存储在小型存储单元中,每个单元由浮动门晶体管组成。这些晶体管可以保持其充电状态,从而代表不同的数据位。
Flash存储主要分为 NAND Flash
和 NOR Flash
这两种类型。
ROM
ROM(Read-Only Memory)是一种 非易失性 存储设备,主要用于永久性地存储数据。
ROM主要用于读取操作。虽然早期的ROM在制造过程中就已经被编程,不能修改,但现代的ROM(如EPROM和Flash存储器)可以被重新编程。
ROM常用于存储固件,这是一种软件程序,直接嵌入在硬件设备中,用于控制设备的基本操作。例如,BIOS(基本输入输出系统)通常存储在ROM中。
注意一下ROM和RAM的对比如下:
特征 | RAM(随机存取存储器) | ROM(只读存储器) |
---|---|---|
易失性 | 是(断电时数据丧失) | 否(数据在断电时不丧失) |
读写能力 | 可以被随机读取和写入 | 通常只读,只读数据不能随机写入 |
用途 | 用于存储正在运行的程序、操作系统和数据 | 用于存储固定程序代码、固件、启动程序等 |
存储容量 | 通常较大,以支持多个程序同时运行 | 通常较小,主要用于存储核心系统和固件 |
数据持续性 | 不持久,数据在断电时丧失 | 持久,数据在断电时不丧失 |
修改权限 | 可以随机修改和写入数据 | 通常只读,只读数据无法被修改 |
ROM 类型:
- EPROM:可以通过紫外线照射来擦除数据,然后重新写入数据。写入数据和擦除数据都较为繁琐,且需要物理操作。常用作电脑的 BIOS 芯片,支持随机存取。
- CDROM: 一种光盘存储设备,数据在生产时一次性写入,不能被修改(只能读取)。